高级显微镜：双光聚焦离子束（FIB成像服务）仪器使用精细聚焦的离子束来修改和成像感兴趣的样品。 FIB主要用于创建非常精确的样品横截面，用于后续成像 SEM, STEM或TEM 或进行电路修改。 此外，FIB 成像可用于直接对样品成像，检测来自离子或电子束的发射电子。 FIB 的对比机制与 SEM 或 S/TEM 不同，因此在某些情况下可以获得独特的结构信息。 双束 FIB/SEM 将这两种技术集成到一个工具中，而单束 FIB 仅包含离子束，电子束成像在单独的 SEM、STEM 或 TEM 仪器中进行。

作为样品制备工具，FIB可以准确地生成样品的横截面，否则无法创建：

• FIB分析彻底改变了TEM样品的样品制备，使得识别亚微米特征和精确制备横截面成为可能。
• FIB 制备的切片广泛用于 SEM 显微镜，其中 FIB 制备、SEM 成像和元素分析可以使用相同的多技术工具进行。
• FIB制备的切片也用于俄歇电子光谱学，以快速，精确地提供地下特征的元素识别。
• 它是检查具有小而难以接近的特征的产品（例如在半导体行业中发现的特征）以及用于表面下颗粒识别的理想工具。
• 对于难以横截面的产品而言，它是一个很好的选择，例如难以抛光的软聚合物。

理想用途

• SEM，STEM和TEM样品制备
• 小型，难以访问的样本功能的高分辨率横截面图像
• 微采样通过 原位 顶出

优势强项

• 横截面小目标的最佳方法
• 快速，高分辨率的成像
• 良好的颗粒对比成像
• 多功能平台，支持许多其他工具

缺点限制

• 通常需要真空兼容性
• 成像可能破坏后续分析
• 分析面上残留的Ga
• 离子束损坏可能会限制图像分辨率
• 截面积很小

技术规格

• 检测到的信号： 电子，二次离子，X射线，光（阴极发光）
• 成像/制图： 有
• 横向分辨率/探头尺寸： 7 nm（离子束）； 20 nm（电子束）

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